翻訳検定試験TQE は、即戦力になる翻訳技術を保証する資格です。

試験科目一覧

電気

…半導体、集積回路・電子回路、送電・配線、自動制御、電子管、電子装置、無線電器、携帯電話、
テレビ・ラジオ・音響、計測等

過去の試験問題

■ I. INTRODUCTION

There are numerous microwave absorbing materials on the market designed for a wide variety of applications. These materials cover a broad range of performance characteristics that are not always well understood or well publicized. The electromagnetic properties of microwave absorbers are often frequency dependent, and in many cases are used at frequencies for which they were not initially designed or for which the properties have yet to be measured. The measurement techniques used by different manufacturers are not necessarily standardized or publicly documented. Information on the electromagnetic properties of these materials is sometimes provided by the manufacturer, but in many cases the information is unavailable or incomplete, or the uncertainties associated with the data provided are not we11-established. A user of one of these materials may have to make certain assumptions about the material performance and, in the case of modeling performance across a range of frequencies, may have to interpolate or extrapolate from the information provided.

「2006 International Geoscience and Remote Sensing Symposium
Digest (IGARSS-2006)Denver, CO, U.S.A. August, 2006」
(http://www.eeel.nist.gov/noise_publications/06_Mat%20Meas_IGARSS.pdfより引用)

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■ 3 1.研究開発の内容及び成果等

■ (1)フォトニックシリコン太陽電池の研究開発

本テーマでは、薄膜シリコン系太陽電池の近赤外感度を大幅に向上させることができるフォトニックシリコン太陽電池の研究開発を目指している。本年度は、フォトニックシリコン太陽電池作製プロセスを確立し電池作製を行った。得られたフォトニックシリコン太陽電池の特性は、フラット基板を用いた従来の薄膜微結晶シリコン太陽電池シングルセルと比べて、近赤外域(700-1100nm)の感度(光電流)で69%向上し、また、短絡電流で12%増加した。  作製したデバイス構造は、サブストレート型、裏面電極(Ag: 200nm、GZO: 40nm)、n 層(μc: 30nm)、フォトニックシリコンi 層(μc: 2μm)、p 層(μc: 30nm)、透明電極(ITO: 70nm)、表面櫛形電極(Ag: 200nm)である。フォトニック構造の形成に伴い短絡電流の増加が見られた。本電流増分は、フォトニック構造形成に伴う近赤外域の光電流の増加に加え、表面自己テクスチャー形成に伴う可視光域の感度向上も寄与することを明らかにした。また、部材粒子供給量を変えることで、近赤外域の感度向上には、ある閾値以上の部材粒子を混入させる必要があることを示した。部材粒子の混入量が少量である場合、光閉じ込め効果が不十分になり、部材-バルクシリコン界面でのキャリア再結合の増加に伴う近赤外域の外部量子効率の低下が生じた。これに対し、部材粒子の混入量が十分である場合、光閉じ込め効果が界面のキャリア再結合を上回り、近赤外域の感度の向上が見られた。フォトニックシリコン太陽電池では、フラット基板上薄膜微結晶シリコン太陽電池で見られる近赤外域の干渉パターンが完全になくなることから、近赤外太陽光が電池内部で拡散し閉じ込められることを間接的に示す事ができた。

「独立行政法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)」
(http://www.nedo.go.jp/より引用)

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